نشرت دراسة بحثية أعدها الأستاذ الدكتور حمد رحمن التدريسي في كلية التربية للعلوم الصرفة الموسومة (التركيب الالكتروني للبنى المتغايرة النادرة GaS/GaSe القائمة على الطبقات الاحادية GaS و GaSe ) في المجلة العالمية Physica B وهي من المجلات التي تصدر عن مؤسسة Elsevier , و مصنفة ضمن مؤسسة سكوبس وتصنيف ثومسن رويترز ولها معامل تأثير قدرة 1.45.

تضمنت الدراسة استخدام نظرية الكثافة الوظيفية (DFT) المصححة بتأثيرات فندرز فالز لدراسة الخصائص الإلكترونية للبنى المتغايرة النانوية GaS/GaSe القائمة على الطبقات الأحادية GaS و GaSe، وأكدت النتائج على أن هذه البنى المتغايرة تمتلك فجوة مباشرة على عكس الطبقات الأحادية المكونة لها، وتتراوح فجوة الطاقة المباشرة من 1.308 إلى 1.78 الكترون فولت، والتي تقع في منطقة الضوء المرئي، مما يشير إلى التطبيقات الإلكترونية البصرية الممكنة.

وأوضح الباحث أن لهذه البنى خصائص الكترونية غير مسبوقة، وبالتالي يمكن استعمالها في التطبيقات الممكنة المفتوحة مثل الأجهزة النانوية، المتحسسات الضوئية، وأجهزة الاستشعار، والخلايا الشمسية، وغيرها من التطبيقات، وقد قورنت هذه البنى مع البلورات المؤلفة من نفس هذه العناصر ووجد أن فجوة الطاقة للبنى النانوية تكون اكبر من تلك الموجودة في البلورات GaS / GaSe.

وأضاف أن هذه البنى تكون مستقرة ديناميكيا وذلك من خلال دراسة العلاقة بين الفونونات والتردد، حيث كانت جميع الترددات موجبة وطاقة الترابط لها عالية جداً مما يدل على استقراريتها.

مرتضى علي